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非常時(shí)刻，作為中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、配套最完善、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片制造企業(yè)，中芯國(guó)際獲得了廣泛關(guān)注。人們紛紛猜測(cè)，萬一華為“備胎”頂不住，臺(tái)積電倒戈，中芯國(guó)際能否扛起中國(guó)“芯”制造的大旗？

5月24日，中芯國(guó)際發(fā)布公告稱：出于一些考慮因素，公司董事會(huì)批準(zhǔn)將其美國(guó)預(yù)托證券股份從紐約證券交易所退市。在中美貿(mào)易戰(zhàn)拉鋸之時(shí)，不禁讓人浮想聯(lián)翩。對(duì)此，業(yè)內(nèi)觀察人士認(rèn)為，這是一個(gè)具有里程碑意義的事件，意味著中國(guó)高科技正式和美國(guó)脫鉤，是開啟以中國(guó)為主導(dǎo)的波瀾壯闊大時(shí)代的第一步。

實(shí)際上，早在今年年初，就有媒體報(bào)道，中芯國(guó)際將在今年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)14nm FinFET工藝，比最初預(yù)期提前了幾個(gè)季度，良品率已經(jīng)高達(dá)95%，而且公司的12nm工藝開發(fā)也已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。

據(jù)悉，中芯國(guó)際將繼續(xù)投入100億美元資金用于14nm、10nm和7nm工藝的生產(chǎn)建設(shè)，預(yù)計(jì)到2021年第四季度其月生產(chǎn)能力將達(dá)到7萬塊晶圓。盡管和高通尚存在一到兩代差距，但這無疑是個(gè)振奮人心的消息。

拓荒

中芯國(guó)際成立于2000年4月，2004年在紐交所和聯(lián)交所同時(shí)掛牌上市，2008年引入大唐電信作為戰(zhàn)略投資者，第一大股東變?yōu)閲?guó)資。其創(chuàng)始人是臺(tái)灣人張汝京，以其在美國(guó)半導(dǎo)體巨頭德州儀器工作20年積累的豐富的DRAM芯片設(shè)計(jì)和建廠經(jīng)驗(yàn)，為大陸芯片制造業(yè)發(fā)展做出了很大貢獻(xiàn)。

1997年，德州儀器DRAM產(chǎn)業(yè)走到盡頭，張汝京離開并在華邦電和中華開發(fā)資金的支持下成立了世大半導(dǎo)體，是繼臺(tái)積電、聯(lián)華電子之后，臺(tái)灣第三家晶圓(Foundry)代工廠商。

所謂晶圓代工，是由張汝京在德州儀器的上司、臺(tái)積電的創(chuàng)始人張忠謀開拓出來的一種全新的產(chǎn)業(yè)模式。

在臺(tái)積電出現(xiàn)之前，全球IC供應(yīng)商都是IDM廠商，也就是每家廠商都是從芯片設(shè)計(jì)到制造、封測(cè)的“一條龍”模式。但隨著工藝演進(jìn)，芯片生產(chǎn)成本增加，升級(jí)晶圓廠成為IC廠商們的難題。時(shí)任臺(tái)灣工研院院長(zhǎng)的張忠謀認(rèn)定做晶圓代工是未來發(fā)展趨勢(shì)，于是在1987年成立了臺(tái)積電，改變了半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)格局。

得益于張汝京在全球芯片業(yè)的盛譽(yù)和其掌握的技術(shù)和客戶資源，僅經(jīng)過三年就開始盈利的世大半導(dǎo)體引起了臺(tái)積電的忌憚，為了消除這個(gè)日漸強(qiáng)大的對(duì)手，臺(tái)積電說服世大半導(dǎo)體第一大股東，在沒有知會(huì)張汝京的情況下，作價(jià)50億美元將其收購(gòu)。

張汝京負(fù)氣北上上海成立了中芯國(guó)際，在大陸開始拓荒芯片代工產(chǎn)業(yè)。當(dāng)時(shí)的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)落后于世界平均水平“至少20年”，作為拓荒者，成立之初，中芯國(guó)際面對(duì)至少五大困難，前十年一直處于虧損之中。

首要困難是在技術(shù)和產(chǎn)業(yè)規(guī)模上的幾乎空白之境。初到大陸的張汝京發(fā)現(xiàn)，大陸僅有的幾家芯片企業(yè)無一例外地沿襲了集芯片設(shè)計(jì)、制造于一體的全球芯片業(yè)主流模式IDM，與英特爾這類大型芯片制造商相比，中國(guó)的芯片企業(yè)規(guī)模小、工藝落后、運(yùn)營(yíng)效率低。

其次是當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)既沒有成型的專業(yè)半導(dǎo)體制造設(shè)備，也缺乏必要的先進(jìn)制造業(yè)人才。幸好張汝京帶來了昔日舊部還有他掌握的當(dāng)時(shí)世界上最先進(jìn)的集成電路制造設(shè)備和主流工藝技術(shù)，才將芯片代工制造帶出了蠻荒之境。

第三是美國(guó)對(duì)中國(guó)的技術(shù)限制。大陸有關(guān)于半導(dǎo)體的一切技術(shù)、設(shè)備都受到嚴(yán)格的輸出限制，半導(dǎo)體企業(yè)要做一個(gè)產(chǎn)品往往面臨著復(fù)雜漫長(zhǎng)的技術(shù)許可程序。當(dāng)時(shí)最先進(jìn)的技術(shù)是0.35-0.25微米技術(shù)，0.13微米技術(shù)剛開始量產(chǎn)。國(guó)內(nèi)華虹NEC只能做0.5微米，落后四個(gè)技術(shù)世代。

第四是資金匱乏和股權(quán)復(fù)雜。中芯國(guó)際成立之初，張汝京憑借個(gè)人影響力，一舉將上海實(shí)業(yè)、高盛、華登國(guó)際、漢鼎亞太和祥峰投資等16家著名投資商納為其股東。為了避免重蹈世大的覆轍，張汝京有意將中芯國(guó)際的股權(quán)分散開來。但后來為了募得更多資金，張汝京不斷稀釋自己的股權(quán)，公司的股東體系越來越復(fù)雜，導(dǎo)致決策不力，最后個(gè)人出局。

第五是要面對(duì)來自臺(tái)積電的“科技大戰(zhàn)”。起初，中芯國(guó)際發(fā)展得很好，2003年產(chǎn)能就達(dá)到了每月6萬片，累計(jì)銷售收入達(dá)到了30億元，并很快躍升為全球芯片代工的前三甲，規(guī)模直指臺(tái)積電。于是臺(tái)積電發(fā)起了以知識(shí)產(chǎn)權(quán)為名的科技大戰(zhàn)，最終險(xiǎn)些拖垮了中芯國(guó)際。

面對(duì)公司成立初期的各種困難，張汝京憑借自己的人脈關(guān)系斡旋和解決。為了解決技術(shù)問題，他找到日本東芝，引進(jìn)了0.21微米存儲(chǔ)技術(shù)，隨后又與富士通合作把技術(shù)水平提升到0.16微米和0.13微米，在達(dá)到0.13微米技術(shù)水平后，又開始與歐洲微電子研究所進(jìn)行技術(shù)合作。

在此過程中，中芯國(guó)際不斷受到來自美國(guó)的壓力。2001年，中芯國(guó)際向美國(guó)應(yīng)用材料公司購(gòu)買雙電子束系統(tǒng)，突然遭遇布什政府凍結(jié)產(chǎn)品出口許可，張汝京不得不掉頭向瑞典企業(yè)求救。2005年，中芯國(guó)際向美國(guó)國(guó)家出口銀行申請(qǐng)7.69億美元貸款，用以購(gòu)買美國(guó)應(yīng)用材料的設(shè)備，卻被美國(guó)美光公司以“美國(guó)政府不能用納稅人的錢幫助對(duì)手”為由進(jìn)行阻攔。

在當(dāng)年，光建立一條8寸晶圓的生產(chǎn)線就需要十億美金，公司最初融來的錢根本不夠用，而且因?yàn)槿瞬诺膮T乏生產(chǎn)工藝也很難自主進(jìn)步，為此張汝京決定，中芯國(guó)際從成立開始就一定要具有規(guī)模，在生產(chǎn)工藝方面則依靠合作聯(lián)盟。

趁芯片產(chǎn)業(yè)處于低潮期，張汝京憑借自身人脈，購(gòu)入大量低價(jià)二手設(shè)備，布置了三條8寸生產(chǎn)線，2003年第二次私募融到的6億多美金，一方面用于投資建設(shè)北京的12寸晶圓廠，一方面以低價(jià)購(gòu)入摩托羅拉的天津工廠用以建設(shè)8寸生產(chǎn)線。這樣，在不到四年的時(shí)間里中芯國(guó)際就擁有了四個(gè)8寸廠和一個(gè)12寸廠。

在產(chǎn)品方面，中芯國(guó)際和臺(tái)灣同行不一樣，不但做邏輯電路，還做DRAM。運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)豐富的張汝京認(rèn)為，對(duì)于剛成立的中芯國(guó)際來說，資金流是最重要的，如果只做邏輯電路會(huì)浪費(fèi)產(chǎn)能，DRAM對(duì)于良率的要求沒那么高，雖然賺錢不多，但可以用以培養(yǎng)員工。

通過給大型IDM代工，與國(guó)際的先進(jìn)廠商合作，中芯國(guó)際高速發(fā)展的同時(shí)積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)。張汝京認(rèn)為，半導(dǎo)體生產(chǎn)講究規(guī)模效應(yīng)，于是短短幾年間，在上海、北京、天津、成都、深圳完成了規(guī)?；季郑撬麉s無法同時(shí)滿足董事會(huì)對(duì)于盈利的訴求，因而和董事會(huì)之間不斷出現(xiàn)“先賺錢還是先擴(kuò)張”的矛盾。

而在海峽的另一岸，看到中芯國(guó)際發(fā)展勢(shì)頭迅猛，行業(yè)大哥臺(tái)積電想方設(shè)法地阻攔。2002年初，臺(tái)積電以公司離職員工涉嫌通過電子郵件將公司重要資料外泄為由對(duì)中芯國(guó)際提出訴訟。2003年8月開始，臺(tái)積電陸續(xù)向美國(guó)相關(guān)機(jī)構(gòu)提起訴訟，請(qǐng)求判定中芯國(guó)際及在內(nèi)地的三家公司侵犯專利權(quán)、竊取商業(yè)秘密、不正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)和干擾經(jīng)營(yíng)關(guān)系，要求其支付10億美元違約金。

2005年，中芯國(guó)際支付1.75億美元的和解費(fèi)換來短暫和解，不過2006年，臺(tái)積電再次向美國(guó)加州法院起訴并指控中芯國(guó)際違反了2005年的協(xié)議，雙方展開訴訟戰(zhàn)。2009年11月4日，美國(guó)法院裁定中芯國(guó)際竊取臺(tái)積電商業(yè)機(jī)密。

隨后兩家和解，代價(jià)是中芯國(guó)際向臺(tái)積電支付2億美元現(xiàn)金及10%股份。2009年，公司凈利潤(rùn)創(chuàng)成立以來最大年度虧損，凈虧損達(dá)9.6億美元。此外，中芯國(guó)際創(chuàng)始人張汝京離職，這也被認(rèn)為是雙方達(dá)成最終和解協(xié)議的前提條件。

發(fā)展

與臺(tái)積電的訴訟之后，經(jīng)過短暫調(diào)整以及此前積累能量的釋放，2010年，中芯國(guó)際經(jīng)營(yíng)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折，銷售額由2009年的10.704億美元增長(zhǎng)45.3%至2010年的15.548億美元，2010年全年，公司晶圓總銷售量為1985974件，較上年增長(zhǎng)44.3%。

2010年凈利潤(rùn)為1400萬美元，與2009年凈虧損9.625億美元相比成功扭虧，且創(chuàng)造了公司全年凈利潤(rùn)的新紀(jì)錄。2011年以來，中芯國(guó)際營(yíng)收從12.2億美元增長(zhǎng)至2016年的29.21億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)19%。

從2013年開始，國(guó)家大基金及地方性基金對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從芯片研發(fā)到制造開始進(jìn)行補(bǔ)償，中芯國(guó)際作為內(nèi)地規(guī)模最大的芯片制造企業(yè)是重點(diǎn)扶植對(duì)象。截至2017年6月末，大基金已經(jīng)成為中芯的第二大股東，持股比例為15.91%。

從產(chǎn)能方面看，2011-2016年間中芯國(guó)際一直保持持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，公司產(chǎn)能利用率遠(yuǎn)高于行業(yè)。2015年10月，中芯國(guó)際連續(xù)宣布新廠投資計(jì)劃，在上海和深圳分別新建一條12寸生產(chǎn)線，天津的8寸生產(chǎn)線產(chǎn)能從4.5萬片/月擴(kuò)大至15萬片/月，成為全球單體最大的8寸生產(chǎn)線。

之后公司又實(shí)現(xiàn)了14nm FinFET的量產(chǎn)，12nm工藝研制也取得了很大進(jìn)展。盡管英特爾、臺(tái)積電等紛紛來大陸建廠，但中芯國(guó)際無論在技術(shù)上還是規(guī)模上都已成為當(dāng)之無愧的國(guó)內(nèi)頭把交椅，也是被市場(chǎng)認(rèn)為在晶圓技術(shù)上能夠和國(guó)際技術(shù)相匹敵的公司，作為國(guó)內(nèi)芯片上游的領(lǐng)頭羊，將在芯片上千億的進(jìn)口替代市場(chǎng)增量上，擁有絕對(duì)份額的占有率。

積累

中芯國(guó)際在大陸芯片制造產(chǎn)業(yè)中的重要性不能僅用其產(chǎn)生的營(yíng)收多少來衡量，其作為產(chǎn)業(yè)拓荒者更重要的是對(duì)國(guó)家發(fā)展的戰(zhàn)略意義。盡管面對(duì)外部封鎖和競(jìng)爭(zhēng)，成長(zhǎng)艱難，但是中芯國(guó)際為大陸芯片制造產(chǎn)業(yè)積累了很多寶貴財(cái)富。

集成電路產(chǎn)業(yè)總體上分為設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試三大部分。外資跨國(guó)公司一直占據(jù)著制造環(huán)節(jié)的領(lǐng)先地位，近20年前，中國(guó)大陸在這一領(lǐng)域可謂一片空白。2000年8月，中芯國(guó)際在上海浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)開始正式打樁，可謂為中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)寫下了新的一頁。

中芯國(guó)際縮小了中國(guó)晶圓制造與世界的差距，其建成與發(fā)展極大促進(jìn)了中國(guó)晶圓制造工藝技術(shù)的提高，支持了國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)計(jì)公司的發(fā)展，中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)能夠取得現(xiàn)今的良好成績(jī)，中芯國(guó)際有著很大貢獻(xiàn)。中芯國(guó)際成立以來，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)份額從2000年只占全球份額的7%上升到了2010年的30%，2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總額高達(dá)3530億美元，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)占了45%。

中芯國(guó)際成立之初，投入就是0.18微米工藝，將工藝節(jié)點(diǎn)一下提前了幾個(gè)世代。現(xiàn)在，中芯國(guó)際還是中國(guó)內(nèi)地首個(gè)能夠?yàn)榭蛻籼峁┩暾?4nm制程服務(wù)的純晶圓代工企業(yè)。

隨著全球芯片業(yè)工藝制程從130nm發(fā)展到現(xiàn)在的7nm和5nm，晶圓廠家逐漸減少，現(xiàn)在規(guī)劃中的7nm只有兩家IDM(三星和英特爾)和三家晶圓廠在投入研發(fā)，其中就有中芯國(guó)際(另外兩家是TSMC和格芯)。

而且，中國(guó)集成電路先進(jìn)制造工藝已經(jīng)從之前落后國(guó)際4到5代縮小到了1到2代的差距，28nm、14nm以及未來的7nm都是高性能節(jié)點(diǎn)，會(huì)長(zhǎng)期存在，所以只要能量產(chǎn)出來，對(duì)發(fā)展國(guó)產(chǎn)高性能芯片都是有益的。

自身發(fā)展的同時(shí)，中芯國(guó)際也積極帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的技術(shù)發(fā)展。以上游設(shè)備業(yè)為例，中芯國(guó)際倡導(dǎo)使用國(guó)內(nèi)廠商的設(shè)備，除了大家經(jīng)常聽到的光刻機(jī)之外，還有離子蝕刻機(jī)、離子注入機(jī)、光學(xué)拋光機(jī)、快速退火設(shè)備等等，隨著企業(yè)工藝的不斷演進(jìn)，設(shè)備廠的技術(shù)能力得到了顯著提高，過去七年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體裝備的市場(chǎng)占有率從1%提高到了15%。

為了跟上國(guó)際先進(jìn)巨頭的步伐，過去六年，中芯國(guó)際投入了近二十億美金到研發(fā)和設(shè)備方面，同時(shí)還與國(guó)內(nèi)外廠商一起，打造中國(guó)的集成電路生態(tài)環(huán)境并擴(kuò)充產(chǎn)能，以滿足日益增長(zhǎng)的芯片制造需求。

2016年，中芯分別在上海、天津和深圳規(guī)劃了三個(gè)晶圓廠，其中上海的為12寸晶圓廠，主要工藝聚焦在45nm/40nm到28nm，建成后產(chǎn)能達(dá)到20 KPM；天津的是一個(gè)8寸晶圓廠，其主要生產(chǎn)工藝是0.35微米到0.15微米，產(chǎn)能也高達(dá)45K WPM，深圳的同樣是一個(gè)8寸晶圓廠，工藝則覆蓋了0.35微米到90nm。

除了興建晶圓廠以外，中芯國(guó)際還攜手長(zhǎng)電建立中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體，架起中國(guó)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的橋梁。這個(gè)合資公司具有12英寸凸塊加工(Bumping)及配套晶圓芯片測(cè)試(CP Testing)能力。熱門的CMOS圖像傳感器也是中芯國(guó)際關(guān)注的重點(diǎn)產(chǎn)品。

結(jié)合中芯國(guó)際已有的12英寸CIS晶圓生產(chǎn)線，以及國(guó)內(nèi)已具備的后段封裝生產(chǎn)能力，中芯國(guó)際打造出了國(guó)內(nèi)首條連接12英寸CIS生產(chǎn)前段、中段和后段的完整產(chǎn)業(yè)鏈，為客戶提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的差異化產(chǎn)品和完善、便捷的一站式服務(wù)。

加強(qiáng)自主研發(fā)方面，中芯國(guó)際成立了“集成電路先導(dǎo)技術(shù)研究所”，充分整合大學(xué)院校資源，將碎片化的國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈化零為整，打破我國(guó)IC研發(fā)資源分散、自主創(chuàng)新能力缺乏的局面，力推能聯(lián)動(dòng)設(shè)備廠商、材料供應(yīng)商、代工廠、設(shè)計(jì)公司及科研機(jī)構(gòu)的公共平臺(tái)，并以此為依托加強(qiáng)與國(guó)際的交流合作。

此外，中芯國(guó)際還聯(lián)合北京大學(xué)、清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、浙江大學(xué)、中科院微電子研究所、中科院微系統(tǒng)研究所等單位發(fā)起組建“中芯聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，在政府項(xiàng)目、產(chǎn)業(yè)鏈合作、人才培養(yǎng)、專利和技術(shù)共享等方面，發(fā)揮重要作用。

挑戰(zhàn)

因?yàn)橹袊?guó)芯片制造產(chǎn)業(yè)最初的狀態(tài)，中芯國(guó)際過去18年來在發(fā)展過程中的艱苦努力是值得認(rèn)可和贊揚(yáng)的，但是中國(guó)芯片制造行業(yè)目前面臨的挑戰(zhàn)也確實(shí)十分嚴(yán)峻，這也是制約行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素，需要全行業(yè)乃至整個(gè)國(guó)家和社會(huì)的共同努力。

受限于《瓦森納協(xié)議》，芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)等多個(gè)領(lǐng)域，中國(guó)都不能獲取國(guó)外的最新科技，加之資金投入不足、人才匱乏，經(jīng)過18年的發(fā)展，中芯國(guó)際在工藝制程方面與國(guó)際巨頭還有一到兩代的差距，這種差距又造成了公司規(guī)模上的差距。根據(jù)IC Insights統(tǒng)計(jì)，2016年行業(yè)前兩名臺(tái)積電和美國(guó)格羅方德占據(jù)了全球70%的市場(chǎng)份額，中芯國(guó)際雖然排名第四，但市場(chǎng)占有率只有6%。

半導(dǎo)體是高度依賴投資的產(chǎn)業(yè)，晶圓代工屬于技術(shù)密集兼資本密集型行業(yè)，產(chǎn)品制程與生產(chǎn)規(guī)模的領(lǐng)先程度極大地決定了企業(yè)在這個(gè)行業(yè)中的護(hù)城河的深淺。而先進(jìn)制程的開發(fā)是需要大量的研發(fā)資本投入以及不斷的產(chǎn)能規(guī)模擴(kuò)張的。

當(dāng)年臺(tái)積電坐上晶圓代工的第一把交椅，靠的就是先利用先進(jìn)制程上的技術(shù)領(lǐng)先，率先獲得高利率并進(jìn)行擴(kuò)張，然后等后面的企業(yè)快要追趕上來的時(shí)候，再依靠規(guī)模優(yōu)勢(shì)大打價(jià)格戰(zhàn)，如此循環(huán)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)地甩開競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，奠定自己的行業(yè)霸主地位。

然而，在資金投入方面，中芯國(guó)際與其他巨頭具有極大差距。以2016年為例，在積體電路資本支出方面，三星是113億美元，臺(tái)積電是102.5億美元，英特爾是96.25億美元，而中芯國(guó)際只有26.26億美元。在研發(fā)費(fèi)用層面，臺(tái)積電2016年是22億美元，而中芯國(guó)際只有3.18億美元，2017年研發(fā)費(fèi)用增長(zhǎng)了34.2%也不過4.27億美元。

芯片市場(chǎng)馬太效應(yīng)明顯，強(qiáng)者恒強(qiáng)，技術(shù)上的差距導(dǎo)致在同等級(jí)別制程的芯片產(chǎn)品上，中芯國(guó)際即使價(jià)格更低也依然“門可羅雀”。而另一邊，因?yàn)橛凶銐虻氖袌?chǎng)銷售支撐產(chǎn)品的迭代，臺(tái)積電和三星即使大手筆投入研發(fā)，產(chǎn)品毛利率依然非常高。臺(tái)積電2016年凈資產(chǎn)收益率為25%，凈利潤(rùn)率為33%，而中芯國(guó)際2016年的凈資產(chǎn)收益率僅10%。

比資金投入問題更為嚴(yán)重的是人才問題。總的來說，大陸對(duì)半導(dǎo)體的人才培養(yǎng)和儲(chǔ)備都還跟不上，人才短缺以及基礎(chǔ)教育的問題也是任正非近期在接受國(guó)內(nèi)媒體公開采訪時(shí)“吐槽”的問題。中芯國(guó)際的芯片難以崛起，就與本土缺少高端半導(dǎo)體人才有關(guān)。

中芯目前的技術(shù)團(tuán)隊(duì)中，本土化人才并不多，仍然嚴(yán)重依賴外部人才，同時(shí)面向未來的人才缺口仍然巨大。2015年，中國(guó)集成電路從業(yè)人數(shù)為39.4萬，其中技術(shù)人員只有14.1萬，中高端人才供需矛盾突出。而有預(yù)測(cè)顯示，到2020年我國(guó)集成電路行業(yè)大概需要近百萬從業(yè)人員，目前大陸半導(dǎo)體從業(yè)人員總數(shù)不足30萬。

臺(tái)灣的芯片業(yè)人才一直是大陸企業(yè)甚至很多外企合資企業(yè)挖角的對(duì)象，但臺(tái)灣就那么大，臺(tái)積電、聯(lián)發(fā)科等業(yè)內(nèi)企業(yè)本身就要吸納很多人才，所以挖人的難度可想而知。而且由于大陸、臺(tái)灣以及外籍員工共存，文化融合也是中芯國(guó)際需要面對(duì)的問題。

人才越來越成為制約芯片行業(yè)乃至中國(guó)所有基礎(chǔ)行業(yè)發(fā)展的瓶頸。對(duì)于擁有14億人口的中國(guó)而言，要想獲得更大的發(fā)展和更穩(wěn)的根基，以制造業(yè)為核心的實(shí)體經(jīng)濟(jì)的重要性不言而喻，沒有基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)人才的支撐，無論是經(jīng)濟(jì)發(fā)展還是大國(guó)復(fù)興都會(huì)成為一句空話。

未來

隨著中芯國(guó)際產(chǎn)品線日益豐富，其與國(guó)際巨頭的差距正在一步步拉近，未來有望成為世界芯片制造業(yè)的龍頭企業(yè)。

首先，中美貿(mào)易戰(zhàn)對(duì)未來中國(guó)經(jīng)濟(jì)發(fā)展會(huì)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響，對(duì)行業(yè)既是挑戰(zhàn)也是機(jī)遇，對(duì)中芯國(guó)際來說機(jī)遇大于挑戰(zhàn)。集成電路國(guó)產(chǎn)化的國(guó)家戰(zhàn)略為行業(yè)帶來有力的政策扶持，華為海外被禁運(yùn)的訂單會(huì)轉(zhuǎn)移一大部分給國(guó)內(nèi)上下游企業(yè)，而中芯國(guó)際是芯片制造部分的最后保證。

其次，從行業(yè)整體來看，長(zhǎng)期而言，人工智能及物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展將會(huì)帶來芯片需求的大爆發(fā)，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)口替代也將使得國(guó)內(nèi)晶圓代工龍頭擁有巨大的增長(zhǎng)空間。中國(guó)芯片制造行業(yè)目前和世界最先進(jìn)的水平代差在5年左右，10年內(nèi)趕上并成為全球的領(lǐng)先者在時(shí)間和空間上都具備可能性。

再次，在企業(yè)內(nèi)部，中芯國(guó)際正積極布局行業(yè)全球頂尖的工藝制程，鎖定發(fā)展自己在晶圓代工領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力，以可堪媲美臺(tái)積電的產(chǎn)業(yè)鏈上下游布局打造自己的綜合競(jìng)爭(zhēng)能力。

美國(guó)不遺余力地對(duì)中國(guó)科技企業(yè)的打壓警醒了中國(guó)全社會(huì)對(duì)基礎(chǔ)行業(yè)的重視，未來經(jīng)過十年左右的發(fā)展，中芯國(guó)際將會(huì)成為芯片制造業(yè)中不遜于臺(tái)積電的第一梯隊(duì)企業(yè)，而如果能夠挺過這次危機(jī)，華為海思也將會(huì)成為芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，屆時(shí)，中國(guó)芯片業(yè)必將是另一番氣象。